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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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FCH060N80-F155
ON Semiconductor

FCH060N80-F155

Stock parziale: 2957

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 800V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 29A, 10V,

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FDB2532
ON Semiconductor

FDB2532

Stock parziale: 38673

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 33A, 10V,

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NTB35N15T4G
ON Semiconductor

NTB35N15T4G

Stock parziale: 34371

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 37A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18.5A, 10V,

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FQI13N50CTU
ON Semiconductor

FQI13N50CTU

Stock parziale: 34962

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

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FQAF11N90C
ON Semiconductor

FQAF11N90C

Stock parziale: 16803

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 900V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

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FDB031N08
ON Semiconductor

FDB031N08

Stock parziale: 23837

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

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FQP17N40
ON Semiconductor

FQP17N40

Stock parziale: 32126

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

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FQPF11N40C
ON Semiconductor

FQPF11N40C

Stock parziale: 42618

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V,

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FQPF16N25C
ON Semiconductor

FQPF16N25C

Stock parziale: 52699

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.8A, 10V,

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FDPF085N10A
ON Semiconductor

FDPF085N10A

Stock parziale: 38995

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 40A, 10V,

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FQP10N20C
ON Semiconductor

FQP10N20C

Stock parziale: 71826

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 4.75A, 10V,

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FQP13N10
ON Semiconductor

FQP13N10

Stock parziale: 73311

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6.4A, 10V,

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FDP52N20
ON Semiconductor

FDP52N20

Stock parziale: 28104

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V,

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FDP020N06B-F102
ON Semiconductor

FDP020N06B-F102

Stock parziale: 6073

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

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FQPF9N50CF
ON Semiconductor

FQPF9N50CF

Stock parziale: 40235

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

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FCPF600N60Z
ON Semiconductor

FCPF600N60Z

Stock parziale: 95310

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.7A, 10V,

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FQI5N60CTU
ON Semiconductor

FQI5N60CTU

Stock parziale: 82201

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V,

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FDP10N60NZ
ON Semiconductor

FDP10N60NZ

Stock parziale: 41865

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

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FDPF4N60NZ
ON Semiconductor

FDPF4N60NZ

Stock parziale: 141611

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

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FDP12N50
ON Semiconductor

FDP12N50

Stock parziale: 91859

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

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FDP8030L
ON Semiconductor

FDP8030L

Stock parziale: 10393

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

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NTD4970N-35G
ON Semiconductor

NTD4970N-35G

Stock parziale: 180984

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 30A, 10V,

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FDB070AN06A0-F085
ON Semiconductor

FDB070AN06A0-F085

Stock parziale: 4321

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

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FQA70N10
ON Semiconductor

FQA70N10

Stock parziale: 25977

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 35A, 10V,

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FDPF18N20FT
ON Semiconductor

FDPF18N20FT

Stock parziale: 76292

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V,

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FDP025N06
ON Semiconductor

FDP025N06

Stock parziale: 13654

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V,

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FDP24N40
ON Semiconductor

FDP24N40

Stock parziale: 19526

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 12A, 10V,

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FDH44N50
ON Semiconductor

FDH44N50

Stock parziale: 7044

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

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FQPF8N60C
ON Semiconductor

FQPF8N60C

Stock parziale: 124651

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

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FCPF16N60
ON Semiconductor

FCPF16N60

Stock parziale: 24937

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8A, 10V,

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FCP16N60
ON Semiconductor

FCP16N60

Stock parziale: 15950

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8A, 10V,

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FCPF190N60-F152
ON Semiconductor

FCPF190N60-F152

Stock parziale: 4389

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

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NDP7060
ON Semiconductor

NDP7060

Stock parziale: 17862

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 40A, 10V,

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FQP4P40
ON Semiconductor

FQP4P40

Stock parziale: 25618

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 Ohm @ 1.75A, 10V,

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FQP3N80C
ON Semiconductor

FQP3N80C

Stock parziale: 51955

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 800V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V,

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FCPF11N60
ON Semiconductor

FCPF11N60

Stock parziale: 71318

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

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