Transistor - FET, MOSFET - Singoli

NVMFS6B14NLT3G

NVMFS6B14NLT3G

Stock parziale: 93165

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 20A, 10V,

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FQB34P10TM-F085P

FQB34P10TM-F085P

Stock parziale: 2361

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 16.75A, 10V,

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NTDV20P06LT4G

NTDV20P06LT4G

Stock parziale: 2373

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 7.5A, 5V,

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NVTFS4823NWFTAG

NVTFS4823NWFTAG

Stock parziale: 142842

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

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NTMFS4834NT1G

NTMFS4834NT1G

Stock parziale: 121684

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

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SMP3003-DL-1EX

SMP3003-DL-1EX

Stock parziale: 2187

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SFT1342-E

SFT1342-E

Stock parziale: 2165

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 6A, 10V,

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FQP13N50C_F105

FQP13N50C_F105

Stock parziale: 2288

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

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FDN5618P_G

FDN5618P_G

Stock parziale: 2239

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.25A, 10V,

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CPH6347-TL-HX

CPH6347-TL-HX

Stock parziale: 6304

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 3A, 4.5V,

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NVMFS6B14NLWFT3G

NVMFS6B14NLWFT3G

Stock parziale: 87463

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 20A, 10V,

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NVTFS4823NTWG

NVTFS4823NTWG

Stock parziale: 107041

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

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MVB50P03HDLT4G

MVB50P03HDLT4G

Stock parziale: 2352

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 5V,

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FCA47N60F_SN00171

FCA47N60F_SN00171

Stock parziale: 2294

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 47A, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 23.5A, 10V,

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FDP75N08A

FDP75N08A

Stock parziale: 33909

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 10V,

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NTMFS4C01NT1G

NTMFS4C01NT1G

Stock parziale: 22695

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

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FDP050AN06A0

FDP050AN06A0

Stock parziale: 29711

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

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NTMFS4C800NT1G

NTMFS4C800NT1G

Stock parziale: 115622

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NVMFS6B14NT1G

NVMFS6B14NT1G

Stock parziale: 83482

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

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NTTFS3A08PZTAG

NTTFS3A08PZTAG

Stock parziale: 126803

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 12A, 4.5V,

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FQPF5N60C_F105

FQPF5N60C_F105

Stock parziale: 2252

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V,

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NVMFS6B03NLT1G

NVMFS6B03NLT1G

Stock parziale: 19366

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

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NTMFS5H600NLT1G

NTMFS5H600NLT1G

Stock parziale: 28857

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 50A, 10V,

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NVMFS5C612NLWFAFT1G

NVMFS5C612NLWFAFT1G

Stock parziale: 41288

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36 mOhm @ 50A, 10V,

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FDB8030L

FDB8030L

Stock parziale: 23411

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

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FQP65N06

FQP65N06

Stock parziale: 31606

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32.5A, 10V,

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FQD3P50TM-F085

FQD3P50TM-F085

Stock parziale: 2427

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V,

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NTB45N06LT4G

NTB45N06LT4G

Stock parziale: 78846

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 22.5A, 5V,

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NTRV4101PT1G

NTRV4101PT1G

Stock parziale: 129335

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

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NVMFS6B75NLWFT1G

NVMFS6B75NLWFT1G

Stock parziale: 126874

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 10A, 10V,

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NVMFS6B25NLWFT3G

NVMFS6B25NLWFT3G

Stock parziale: 119271

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 33A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

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NVTFS5C454NLWFTAG

NVTFS5C454NLWFTAG

Stock parziale: 6482

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

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NVMFS5C404NLWFT1G

NVMFS5C404NLWFT1G

Stock parziale: 42273

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 50A, 10V,

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NTMFS4946NT1G

NTMFS4946NT1G

Stock parziale: 180947

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

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FQB27P06TM

FQB27P06TM

Stock parziale: 85946

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13.5A, 10V,

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MCH6337-TL-E

MCH6337-TL-E

Stock parziale: 2175

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

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