Transistor - FET, MOSFET - Singoli

NVMFS6B03NT3G

NVMFS6B03NT3G

Stock parziale: 20523

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

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NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G

Stock parziale: 57288

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V,

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NDT02N60ZT1G

NDT02N60ZT1G

Stock parziale: 1904

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 700mA, 10V,

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MCH5839-TL-W

MCH5839-TL-W

Stock parziale: 2000

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266 mOhm @ 750mA, 4.5V,

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NVTFS5811NLWFTWG

NVTFS5811NLWFTWG

Stock parziale: 132639

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 20A, 10V,

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NDBA180N10BT4H

NDBA180N10BT4H

Stock parziale: 1938

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 180A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 15V,

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FDB8870-F085

FDB8870-F085

Stock parziale: 6183

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V,

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MCH3382-TL-W

MCH3382-TL-W

Stock parziale: 1988

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 1A, 4.5V,

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NTMFS4C05NT1G-001

NTMFS4C05NT1G-001

Stock parziale: 1968

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 78A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

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HUF76407D3ST

HUF76407D3ST

Stock parziale: 112425

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 13A, 10V,

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MCH3333A-TL-H

MCH3333A-TL-H

Stock parziale: 1880

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1A, 4V,

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NTTFS4C56NTAG

NTTFS4C56NTAG

Stock parziale: 132765

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NVMFS5C450NLT1G

NVMFS5C450NLT1G

Stock parziale: 171973

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 40A, 10V,

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NVMFS5C450NLWFT1G

NVMFS5C450NLWFT1G

Stock parziale: 147953

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 40A, 10V,

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NVMFS5C430NT1G

NVMFS5C430NT1G

Stock parziale: 112516

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

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FDBL0330N80

FDBL0330N80

Stock parziale: 30724

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

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NVMFS5C468NLWFT1G

NVMFS5C468NLWFT1G

Stock parziale: 144111

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 20A, 10V,

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SCH1331-TL-W

SCH1331-TL-W

Stock parziale: 2020

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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NVB6411ANT4G

NVB6411ANT4G

Stock parziale: 41339

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 72A, 10V,

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NVMFS5832NLWFT1G

NVMFS5832NLWFT1G

Stock parziale: 107962

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

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NVMFS5C410NWFT3G

NVMFS5C410NWFT3G

Stock parziale: 69719

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92 mOhm @ 50A, 10V,

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NVMFS5C410NLWFT3G

NVMFS5C410NLWFT3G

Stock parziale: 56118

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 50A, 10V,

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NVMFS5C604NLWFT3G

NVMFS5C604NLWFT3G

Stock parziale: 31964

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 50A, 10V,

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FDMC612PZ

FDMC612PZ

Stock parziale: 119189

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 14A, 4.5V,

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NVMFS6B05NT1G

NVMFS6B05NT1G

Stock parziale: 34023

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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NVMFS5C670NLT3G

NVMFS5C670NLT3G

Stock parziale: 141526

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

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NVMFS5C426NT3G

NVMFS5C426NT3G

Stock parziale: 111122

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 50A, 10V,

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NVMFS5C404NLT1G

NVMFS5C404NLT1G

Stock parziale: 43484

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 50A, 10V,

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FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

Stock parziale: 1837

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

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FDBL86563-F085

FDBL86563-F085

Stock parziale: 8639

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 80A, 10V,

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FDD20AN06A0-F085

FDD20AN06A0-F085

Stock parziale: 1812

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 45A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V,

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FDMC8878_F126

FDMC8878_F126

Stock parziale: 1830

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 10V,

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NTK3134NT1H

NTK3134NT1H

Stock parziale: 6272

Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V,

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NVD4813NHT4G

NVD4813NHT4G

Stock parziale: 1876

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

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FDB8896-F085

FDB8896-F085

Stock parziale: 1790

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 93A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V,

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MCH6421-TL-W

MCH6421-TL-W

Stock parziale: 2028

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 2A, 4.5V,

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