Transistor - FET, MOSFET - Singoli

FDD6782A

FDD6782A

Stock parziale: 712

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 14.9A, 10V,

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FDC633N_F095

FDC633N_F095

Stock parziale: 582

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

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FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080

Stock parziale: 724

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V,

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PN3685

PN3685

Stock parziale: 774

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide),

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FQD7N10TM

FQD7N10TM

Stock parziale: 611

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V,

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FDD6780A

FDD6780A

Stock parziale: 703

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 30A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 16.4A, 10V,

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NDS7002A_NB9GGTXA

NDS7002A_NB9GGTXA

Stock parziale: 607

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

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NTGS1135PT1G

NTGS1135PT1G

Stock parziale: 678

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 8V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

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FQU17P06TU

FQU17P06TU

Stock parziale: 67251

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6A, 10V,

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FQD8P10TM_F080

FQD8P10TM_F080

Stock parziale: 651

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

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SSR1N60BTM_F080

SSR1N60BTM_F080

Stock parziale: 6095

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 900mA (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 450mA, 10V,

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NTB5411NT4G

NTB5411NT4G

Stock parziale: 622

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V,

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FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

Stock parziale: 619

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

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NTMFS4119NT1G

NTMFS4119NT1G

Stock parziale: 884

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

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FDH5500

FDH5500

Stock parziale: 580

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

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NTMFS4823NT3G

NTMFS4823NT3G

Stock parziale: 661

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 30A, 10V,

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FDP8442-F085

FDP8442-F085

Stock parziale: 609

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

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NTD4809NHT4G

NTD4809NHT4G

Stock parziale: 842

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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FDD6680A

FDD6680A

Stock parziale: 6086

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

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NTD23N03RT4G

NTD23N03RT4G

Stock parziale: 818

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 17.1A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,

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NTMFS4847NT3G

NTMFS4847NT3G

Stock parziale: 671

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 85A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

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FDC602P_F095

FDC602P_F095

Stock parziale: 573

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

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IRFP450B

IRFP450B

Stock parziale: 724

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 7A, 10V,

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FQP6N60C_F080

FQP6N60C_F080

Stock parziale: 682

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.75A, 10V,

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FQA36P15_F109

FQA36P15_F109

Stock parziale: 614

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 18A, 10V,

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FDP75N08

FDP75N08

Stock parziale: 575

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 10V,

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FQT2P25TF

FQT2P25TF

Stock parziale: 106749

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 550mA (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 275mA, 10V,

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FQD6N50CTM_F080

FQD6N50CTM_F080

Stock parziale: 743

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V,

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FDD6680

FDD6680

Stock parziale: 617

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

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FDD6682

FDD6682

Stock parziale: 568

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 17A, 10V,

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NTMFS4821NT3G

NTMFS4821NT3G

Stock parziale: 592

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

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IRFR420BTM

IRFR420BTM

Stock parziale: 694

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 1.15A, 10V,

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FDP3205

FDP3205

Stock parziale: 646

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 59A, 10V,

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FDB8876

FDB8876

Stock parziale: 555

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 40A, 10V,

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NTB90N02T4G

NTB90N02T4G

Stock parziale: 842

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 24V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 90A, 10V,

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NTR3162PT3G

NTR3162PT3G

Stock parziale: 623

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

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