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Memoria

CAT28C16AW-12T
ON Semiconductor

CAT28C16AW-12T

Stock parziale: 5713

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28C512G12
ON Semiconductor

CAT28C512G12

Stock parziale: 698

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28F001G-12B
ON Semiconductor

CAT28F001G-12B

Stock parziale: 831

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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CAT93C66YI-G
ON Semiconductor

CAT93C66YI-G

Stock parziale: 165267

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz,

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CAT28F001G-90B
ON Semiconductor

CAT28F001G-90B

Stock parziale: 846

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns,

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CAT28F010G12
ON Semiconductor

CAT28F010G12

Stock parziale: 864

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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CAT28C16ALI12
ON Semiconductor

CAT28C16ALI12

Stock parziale: 436

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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N02L83W2AN25I
ON Semiconductor

N02L83W2AN25I

Stock parziale: 6489

Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns,

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CAT28F001HI-12T
ON Semiconductor

CAT28F001HI-12T

Stock parziale: 6323

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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CAT24C44VI-GT3
ON Semiconductor

CAT24C44VI-GT3

Stock parziale: 5806

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: NVSRAM, Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Dimensione della memoria: 256b (16 x 16), Frequenza di clock: 1MHz,

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CAT28C256LI15
ON Semiconductor

CAT28C256LI15

Stock parziale: 628

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28C256GI-12T
ON Semiconductor

CAT28C256GI-12T

Stock parziale: 5955

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28F001L-12T
ON Semiconductor

CAT28F001L-12T

Stock parziale: 891

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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CAT28F001G-12TT
ON Semiconductor

CAT28F001G-12TT

Stock parziale: 830

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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CAT24C64VP2I-GT3
ON Semiconductor

CAT24C64VP2I-GT3

Stock parziale: 6110

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28C16AG-20T
ON Semiconductor

CAT28C16AG-20T

Stock parziale: 444

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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CAT28C16AGI-12T
ON Semiconductor

CAT28C16AGI-12T

Stock parziale: 5952

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT25640VP2I-GT3
ON Semiconductor

CAT25640VP2I-GT3

Stock parziale: 6146

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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N02L63W2AB25I
ON Semiconductor

N02L63W2AB25I

Stock parziale: 6666

Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns,

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CAT28F001GI-12TT
ON Semiconductor

CAT28F001GI-12TT

Stock parziale: 6081

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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CAT28C64BL90
ON Semiconductor

CAT28C64BL90

Stock parziale: 6928

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT24C02VP2I-GT3
ON Semiconductor

CAT24C02VP2I-GT3

Stock parziale: 284

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28F512L90
ON Semiconductor

CAT28F512L90

Stock parziale: 6880

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns,

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CAT24AA01WI-GT3
ON Semiconductor

CAT24AA01WI-GT3

Stock parziale: 5870

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28C512L15
ON Semiconductor

CAT28C512L15

Stock parziale: 7204

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28F512GI-90T
ON Semiconductor

CAT28F512GI-90T

Stock parziale: 1124

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns,

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N02L63W2AT25I
ON Semiconductor

N02L63W2AT25I

Stock parziale: 6540

Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns,

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CAT28C16AGI90
ON Semiconductor

CAT28C16AGI90

Stock parziale: 6712

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT24AA04WI-G
ON Semiconductor

CAT24AA04WI-G

Stock parziale: 7082

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT24C03LI-G
ON Semiconductor

CAT24C03LI-G

Stock parziale: 159235

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT24C44VI-G
ON Semiconductor

CAT24C44VI-G

Stock parziale: 7000

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: NVSRAM, Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Dimensione della memoria: 256b (16 x 16), Frequenza di clock: 1MHz,

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CAT28C64BX-12T
ON Semiconductor

CAT28C64BX-12T

Stock parziale: 7650

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28C64BGI12
ON Semiconductor

CAT28C64BGI12

Stock parziale: 755

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28C64BH13I12
ON Semiconductor

CAT28C64BH13I12

Stock parziale: 6475

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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CAT28C64BXI12
ON Semiconductor

CAT28C64BXI12

Stock parziale: 6884

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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N02L63W3AB25IT
ON Semiconductor

N02L63W3AB25IT

Stock parziale: 5632

Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns,

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