Transistor - Bipolari (BJT) - Array, Pre-polarizza | Prodotti a semiconduttore discreti | 9

NSBC143TPDXV6T5G

Stock parziale: 1450

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSVB143ZPDXV6T1G

Stock parziale: 196250

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5

Stock parziale: 1412

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBA114EDP6T5G

Stock parziale: 120046

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

MUN5311DW1T2G

Stock parziale: 169851

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC124XDXV6T1G

Stock parziale: 13291

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC143EDP6T5G

Stock parziale: 175541

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBA143ZDXV6T5G

Stock parziale: 1440

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSM46211DW6T1G

Stock parziale: 1520

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 65V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V,

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ON Semiconductor

SMUN5314DW1T1G

Stock parziale: 107762

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T1

Stock parziale: 1455

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSVMUN5332DW1T3G

Stock parziale: 126748

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T5

Stock parziale: 1453

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

MUN5216DW1T1G

Stock parziale: 145375

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC124EPDP6T5G

Stock parziale: 102255

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

MUN5216DW1T1

Stock parziale: 1438

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

Stock parziale: 154023

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

Stock parziale: 1465

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

Stock parziale: 133175

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

Stock parziale: 168681

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

Stock parziale: 163385

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

Stock parziale: 3198

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

Stock parziale: 151022

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

Stock parziale: 182502

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

Stock parziale: 152242

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T1

Stock parziale: 1506

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5G

Stock parziale: 158937

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Lista dei desideri

ON Semiconductor

NSM21356DW6T1G

Stock parziale: 1509

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 65V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

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ON Semiconductor

UMC3NT1G

Stock parziale: 190376

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Lista dei desideri

ON Semiconductor

SMUN5237DW1T1G

Stock parziale: 103555

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Lista dei desideri

ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T1G

Stock parziale: 136254

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Lista dei desideri

ON Semiconductor

IMD10AMT1G

Stock parziale: 131028

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 13 kOhms, 130 Ohms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

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ON Semiconductor

EMF18XV6T5G

Stock parziale: 145445

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 60V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V,

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ON Semiconductor

NSVMUN5333DW1T1G

Stock parziale: 176542

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

MUN5336DW1T1G

Stock parziale: 115654

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Lista dei desideri

ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T5G

Stock parziale: 179087

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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