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Memoria

BR25H160F-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR25H160F-2LBH2

Stock parziale: 1673

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR25H640F-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H640F-2CE2

Stock parziale: 10824

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR93G46-3A
Rohm Semiconductor

BR93G46-3A

Stock parziale: 851

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93L76RFVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR93L76RFVT-WE2

Stock parziale: 141162

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (512 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR34E02FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR34E02FVT-WE2

Stock parziale: 141576

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S640FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S640FVT-WE2

Stock parziale: 141575

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H86RF-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR93H86RF-2LBH2

Stock parziale: 1679

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (1K x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR25L020FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L020FJ-WE2

Stock parziale: 159003

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU9832GUL-WE2
Rohm Semiconductor

BU9832GUL-WE2

Stock parziale: 146632

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L040FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L040FVJ-WE2

Stock parziale: 154004

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H080F-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR25H080F-2LBH2

Stock parziale: 66

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR9020RFV-WE2
Rohm Semiconductor

BR9020RFV-WE2

Stock parziale: 146843

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR93H66RF-WCE2
Rohm Semiconductor

BR93H66RF-WCE2

Stock parziale: 58

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 1.25MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S320F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S320F-WE2

Stock parziale: 147837

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU9888FV-WE2
Rohm Semiconductor

BU9888FV-WE2

Stock parziale: 176187

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 2ms,

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BR25H040F-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR25H040F-2LBH2

Stock parziale: 94

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24S08FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S08FJ-WE2

Stock parziale: 189734

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S08FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S08FV-WE2

Stock parziale: 189766

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T256FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T256FJ-WE2

Stock parziale: 149325

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S32FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S32FV-WE2

Stock parziale: 160184

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L020FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L020FVJ-WE2

Stock parziale: 150288

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L020FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L020FV-WE2

Stock parziale: 150304

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L16FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L16FVT-WE2

Stock parziale: 151536

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H640FVT-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H640FVT-2CE2

Stock parziale: 9955

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24G64-3A
Rohm Semiconductor

BR24G64-3A

Stock parziale: 8267

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S320FVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR25S320FVM-WTR

Stock parziale: 152508

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S320FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S320FVT-WE2

Stock parziale: 152475

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H56RFJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR93H56RFJ-WCE2

Stock parziale: 10784

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16), Frequenza di clock: 1.25MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H56RF-WCE2
Rohm Semiconductor

BR93H56RF-WCE2

Stock parziale: 79

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16), Frequenza di clock: 1.25MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S32FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S32FJ-WE2

Stock parziale: 160186

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR95040-WMN6TP
Rohm Semiconductor

BR95040-WMN6TP

Stock parziale: 153971

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L040FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L040FV-WE2

Stock parziale: 153995

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25040N-10SU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25040N-10SU-2.7

Stock parziale: 154030

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L040F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L040F-WE2

Stock parziale: 153989

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H76RF-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR93H76RF-2LBH2

Stock parziale: 1668

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (512 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR25H010F-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR25H010F-2LBH2

Stock parziale: 1690

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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