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Memoria

BR25080-10TU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25080-10TU-2.7

Stock parziale: 128734

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR95080-WDW6TP
Rohm Semiconductor

BR95080-WDW6TP

Stock parziale: 128742

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S320FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S320FV-WE2

Stock parziale: 147769

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S64FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S64FVT-WE2

Stock parziale: 129125

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G512F-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G512F-3AGTE2

Stock parziale: 131884

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU99901GUZ-WE2
Rohm Semiconductor

BU99901GUZ-WE2

Stock parziale: 129848

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T256FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T256FVT-WE2

Stock parziale: 129840

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H010F-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H010F-2CE2

Stock parziale: 149290

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR93L46-W
Rohm Semiconductor

BR93L46-W

Stock parziale: 130819

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S640FVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR25S640FVM-WTR

Stock parziale: 141538

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L080FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L080FJ-WE2

Stock parziale: 131870

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25080N-10SU-1.8
Rohm Semiconductor

BR25080N-10SU-1.8

Stock parziale: 131846

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25080N-10SU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25080N-10SU-2.7

Stock parziale: 131867

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR95080-WMN6TP
Rohm Semiconductor

BR95080-WMN6TP

Stock parziale: 131860

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L080F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L080F-WE2

Stock parziale: 131825

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR95080-RMN6TP
Rohm Semiconductor

BR95080-RMN6TP

Stock parziale: 131860

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BU9880GUL-WE2
Rohm Semiconductor

BU9880GUL-WE2

Stock parziale: 132521

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S320FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S320FJ-WE2

Stock parziale: 147818

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S640F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S640F-WE2

Stock parziale: 137174

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L08-W
Rohm Semiconductor

BR24L08-W

Stock parziale: 133233

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR9040F-WE2
Rohm Semiconductor

BR9040F-WE2

Stock parziale: 133452

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR93H66RFJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR93H66RFJ-WCE2

Stock parziale: 10821

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 1.25MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G512FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor

BR24G512FVT-3AGE2

Stock parziale: 136048

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S640FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S640FJ-WE2

Stock parziale: 137254

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S320FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S320FVJ-WE2

Stock parziale: 147755

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H86RF-WCE2
Rohm Semiconductor

BR93H86RF-WCE2

Stock parziale: 10761

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (1K x 16), Frequenza di clock: 1.25MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G256FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G256FJ-3GTE2

Stock parziale: 137683

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G256FJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G256FJ-3AGTE2

Stock parziale: 137616

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C02FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24C02FJ-WE2

Stock parziale: 135937

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24A08F-WME2
Rohm Semiconductor

BR24A08F-WME2

Stock parziale: 145

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L040FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L040FJ-WE2

Stock parziale: 154014

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G32-3
Rohm Semiconductor

BR24G32-3

Stock parziale: 100352

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H640FJ-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H640FJ-2CE2

Stock parziale: 10789

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR93LC46F-WE2
Rohm Semiconductor

BR93LC46F-WE2

Stock parziale: 137654

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24S16FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S16FV-WE2

Stock parziale: 181687

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93G56-3A
Rohm Semiconductor

BR93G56-3A

Stock parziale: 1219

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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