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Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, Prepolarizz

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RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104(T5L,F,T)

Stock parziale: 2145

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402,LF

Stock parziale: 90

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2413TE85LF

Stock parziale: 186078

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2119MFV(TPL3)

Stock parziale: 2192

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

Stock parziale: 178191

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

Stock parziale: 171892

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1304,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

Stock parziale: 189

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

Stock parziale: 146891

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

Stock parziale: 81

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1105,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105,LF(CT

Stock parziale: 162509

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

Stock parziale: 165156

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN2111MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

Stock parziale: 146

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

Stock parziale: 2124

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2309(TE85L,F)

Stock parziale: 2193

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2114(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114(TE85L,F)

Stock parziale: 128

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2130MFV,L3F

Stock parziale: 188

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

Stock parziale: 102439

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2311(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2311(TE85L,F)

Stock parziale: 3308

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

Stock parziale: 166487

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1110(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

Stock parziale: 3223

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

Stock parziale: 147502

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

Stock parziale: 2025

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105MFV,L3F

Stock parziale: 1951

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1404S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404S,LF

Stock parziale: 135884

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF

Stock parziale: 1906

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

Stock parziale: 3274

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

Stock parziale: 3264

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

Stock parziale: 123572

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2307(TE85L,F)

Stock parziale: 1971

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

Stock parziale: 197244

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112CT(TPL3)

Stock parziale: 3192

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Lista dei desideri
RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

Stock parziale: 1945

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

Stock parziale: 3219

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Lista dei desideri
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

Stock parziale: 1973

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Lista dei desideri
RN1106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

Stock parziale: 1960

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Lista dei desideri
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

Stock parziale: 1923

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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