Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, Prepolarizz | Prodotti a semiconduttore discreti | 6

RN1112(T5L,F,T)

Stock parziale: 1924

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

Stock parziale: 126227

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

Stock parziale: 1912

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

Stock parziale: 100188

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

Stock parziale: 1954

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

Stock parziale: 1987

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

Stock parziale: 1976

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

Stock parziale: 1970

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

Stock parziale: 1984

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

Stock parziale: 2177

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

Stock parziale: 1902

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2404,LF

Stock parziale: 9904

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1306,LF

Stock parziale: 116634

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1444ATE85LF

Stock parziale: 1960

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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RN1107ACT(TPL3)

Stock parziale: 2029

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2110CT(TPL3)

Stock parziale: 1997

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

Stock parziale: 128621

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1107CT(TPL3)

Stock parziale: 1985

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1109MFV,L3F

Stock parziale: 1935

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

Stock parziale: 1956

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1113CT(TPL3)

Stock parziale: 2014

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1102,LF(CT

Stock parziale: 176393

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

Stock parziale: 158736

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

Stock parziale: 147458

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

Stock parziale: 1999

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

Stock parziale: 1905

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

Stock parziale: 1959

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

Stock parziale: 1945

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

Stock parziale: 159037

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

Stock parziale: 1965

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

Stock parziale: 1933

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

Stock parziale: 3234

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 20V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

Stock parziale: 1981

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

Stock parziale: 184462

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

Stock parziale: 140630

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

Stock parziale: 164879

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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