Transistor - FET, MOSFET - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 100

FDD86581-F085

Stock parziale: 10752

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

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ON Semiconductor

NTD4906NT4G

Stock parziale: 1524

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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ON Semiconductor

FQD3N50CTF

Stock parziale: 1575

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

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ON Semiconductor

FDD306P

Stock parziale: 164711

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

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ON Semiconductor

FQD2N60CTM-WS

Stock parziale: 10789

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

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ON Semiconductor

NVA4153NT1G

Stock parziale: 126264

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 915mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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ON Semiconductor

FDG330P

Stock parziale: 132239

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 4.5V,

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ON Semiconductor

FQD5P10TM

Stock parziale: 197584

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 1.8A, 10V,

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ON Semiconductor

NDS8434

Stock parziale: 95338

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

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ON Semiconductor

FDS6680AS

Stock parziale: 179864

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

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ON Semiconductor

FDS8433A

Stock parziale: 168649

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 5A, 4.5V,

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ON Semiconductor

FDS6699S

Stock parziale: 101280

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 21A, 10V,

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ON Semiconductor

HUF76629D3ST

Stock parziale: 98170

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 20A, 10V,

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ON Semiconductor

FDD86567-F085

Stock parziale: 10803

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 80A, 10V,

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ON Semiconductor

NTMFS4839NT1G

Stock parziale: 1569

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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ON Semiconductor

NTD5C434NT4G

Stock parziale: 10763

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 160A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 50A, 10V,

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ON Semiconductor

NTD4860NT4G

Stock parziale: 155518

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

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ON Semiconductor

CPH5871-TL-W

Stock parziale: 1504

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2A, 4.5V,

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ON Semiconductor

NDS8425

Stock parziale: 114980

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.4A, 4.5V,

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ON Semiconductor

FQD6N40CTM

Stock parziale: 182175

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V,

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ON Semiconductor

NTMFS4943NT1G

Stock parziale: 189761

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 41A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 30A, 10V,

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ON Semiconductor

FQD2P40TM

Stock parziale: 103029

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V,

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ON Semiconductor

FDD8447L-F085

Stock parziale: 10798

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,

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ON Semiconductor

NVD5C668NLT4G

Stock parziale: 121951

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V,

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ON Semiconductor

FDZ663P

Stock parziale: 1484

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 2A, 4.5V,

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ON Semiconductor

FDS5690

Stock parziale: 150382

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

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ON Semiconductor

FQD4N25TM-WS

Stock parziale: 10833

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V,

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ON Semiconductor

FDD6690A

Stock parziale: 141764

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12A, 10V,

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ON Semiconductor

NTD6415ANLT4G

Stock parziale: 187948

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 10A, 10V,

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ON Semiconductor

NVD6828NLT4G-VF01

Stock parziale: 132291

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 90V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 41A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

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ON Semiconductor

NTD2955PT4G

Stock parziale: 1484

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6A, 10V,

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ON Semiconductor

FQD11P06TF

Stock parziale: 1555

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 4.7A, 10V,

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ON Semiconductor

NTLJS3A18PZTXG

Stock parziale: 1607

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V,

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ON Semiconductor

NVMFS5826NLT1G

Stock parziale: 166443

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 10A, 10V,

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ON Semiconductor

FDMS8570S

Stock parziale: 125190

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 24A, 10V,

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ON Semiconductor

MCH3486-TL-H

Stock parziale: 1616

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1A, 10V,

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