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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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FQU2N90TU-WS
ON Semiconductor

FQU2N90TU-WS

Stock parziale: 10924

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 900V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 850mA, 10V,

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SFT1345-H
ON Semiconductor

SFT1345-H

Stock parziale: 1443

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 5.5A, 10V,

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MCH3375-TL-H
ON Semiconductor

MCH3375-TL-H

Stock parziale: 1476

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 800mA, 10V,

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FDD9410-F085
ON Semiconductor

FDD9410-F085

Stock parziale: 10772

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V,

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SCH1343-TL-H
ON Semiconductor

SCH1343-TL-H

Stock parziale: 1491

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2A, 4.5V,

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FDV301N-NB9V005
ON Semiconductor

FDV301N-NB9V005

Stock parziale: 1432

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V,

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SFT1350-H
ON Semiconductor

SFT1350-H

Stock parziale: 1459

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 9.5A, 10V,

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FDFS2P106A
ON Semiconductor

FDFS2P106A

Stock parziale: 118176

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 10V,

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FQD18N20V2TM
ON Semiconductor

FQD18N20V2TM

Stock parziale: 129242

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 7.5A, 10V,

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FQPF13N50C
ON Semiconductor

FQPF13N50C

Stock parziale: 1557

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

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NVD3055L170T4G-VF01
ON Semiconductor

NVD3055L170T4G-VF01

Stock parziale: 162864

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

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NVD5867NLT4G-TB01
ON Semiconductor

NVD5867NLT4G-TB01

Stock parziale: 1635

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 11A, 10V,

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FDS4488
ON Semiconductor

FDS4488

Stock parziale: 6246

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.9A, 10V,

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NTMFS4839NHT1G
ON Semiconductor

NTMFS4839NHT1G

Stock parziale: 1493

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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FDFMA3P029Z
ON Semiconductor

FDFMA3P029Z

Stock parziale: 1543

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 3.3A, 10V,

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FDD4685-F085
ON Semiconductor

FDD4685-F085

Stock parziale: 10840

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8.4A, 10V,

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FQD20N06TM
ON Semiconductor

FQD20N06TM

Stock parziale: 199643

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 8.4A, 10V,

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NDB6030PL
ON Semiconductor

NDB6030PL

Stock parziale: 81478

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 19A, 10V,

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NTD65N03R-001
ON Semiconductor

NTD65N03R-001

Stock parziale: 1606

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

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FDS8876
ON Semiconductor

FDS8876

Stock parziale: 189278

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

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FDD3672
ON Semiconductor

FDD3672

Stock parziale: 95320

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 44A, 10V,

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FCD600N60Z
ON Semiconductor

FCD600N60Z

Stock parziale: 119597

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.7A, 10V,

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NVD5C454NT4G
ON Semiconductor

NVD5C454NT4G

Stock parziale: 10836

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 40A, 10V,

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FDD7N60NZTM
ON Semiconductor

FDD7N60NZTM

Stock parziale: 144186

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V,

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FDD9510L-F085
ON Semiconductor

FDD9510L-F085

Stock parziale: 10762

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V,

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NTD18N06LT4G
ON Semiconductor

NTD18N06LT4G

Stock parziale: 193555

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 5V,

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NTMS10P02R2G
ON Semiconductor

NTMS10P02R2G

Stock parziale: 102347

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 4.5V,

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NTD6414ANT4G
ON Semiconductor

NTD6414ANT4G

Stock parziale: 125630

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 32A, 10V,

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FQD1N60CTM
ON Semiconductor

FQD1N60CTM

Stock parziale: 187248

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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FDD5N50UTM-WS
ON Semiconductor

FDD5N50UTM-WS

Stock parziale: 10831

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.5A, 10V,

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FDB8832-F085
ON Semiconductor

FDB8832-F085

Stock parziale: 1633

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 34A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V,

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FDPF33N25T
ON Semiconductor

FDPF33N25T

Stock parziale: 41389

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V,

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FDD8770
ON Semiconductor

FDD8770

Stock parziale: 170589

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 35A, 10V,

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HUF76633P3-F085
ON Semiconductor

HUF76633P3-F085

Stock parziale: 1507

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 39A, 10V,

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FDS4675
ON Semiconductor

FDS4675

Stock parziale: 118203

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V,

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FQD2N80TM
ON Semiconductor

FQD2N80TM

Stock parziale: 147385

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 800V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V,

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