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Memoria

BR25L320-W
Rohm Semiconductor

BR25L320-W

Stock parziale: 39036

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H080FJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR25H080FJ-WCE2

Stock parziale: 50973

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S128GUZ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S128GUZ-WE2

Stock parziale: 47168

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR35H128F-WCE2
Rohm Semiconductor

BR35H128F-WCE2

Stock parziale: 42870

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G1MFJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G1MFJ-3AGTE2

Stock parziale: 44112

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G1MF-3GE2
Rohm Semiconductor

BR25G1MF-3GE2

Stock parziale: 47050

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G1MFJ-3GE2
Rohm Semiconductor

BR25G1MFJ-3GE2

Stock parziale: 47014

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H256FJ-2ACE2
Rohm Semiconductor

BR25H256FJ-2ACE2

Stock parziale: 78

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR25H256F-2ACE2
Rohm Semiconductor

BR25H256F-2ACE2

Stock parziale: 10773

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24A64F-WLBH2
Rohm Semiconductor

BR24A64F-WLBH2

Stock parziale: 116

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H080FVT-WCE2
Rohm Semiconductor

BR25H080FVT-WCE2

Stock parziale: 47125

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A32F-WLBH2
Rohm Semiconductor

BR24A32F-WLBH2

Stock parziale: 76

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G256-3
Rohm Semiconductor

BR25G256-3

Stock parziale: 49844

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G256-3
Rohm Semiconductor

BR24G256-3

Stock parziale: 49881

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G256-3A
Rohm Semiconductor

BR24G256-3A

Stock parziale: 49823

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T256-W
Rohm Semiconductor

BR24T256-W

Stock parziale: 49818

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H080F-WCE2
Rohm Semiconductor

BR25H080F-WCE2

Stock parziale: 50978

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A16FJ-WME2
Rohm Semiconductor

BR24A16FJ-WME2

Stock parziale: 10794

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93H86RFJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR93H86RFJ-WCE2

Stock parziale: 10772

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (1K x 16), Frequenza di clock: 1.25MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU9882FV-WE2
Rohm Semiconductor

BU9882FV-WE2

Stock parziale: 55152

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 8 x 2), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BU9882F-WE2
Rohm Semiconductor

BU9882F-WE2

Stock parziale: 55146

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 8 x 2), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR93L86-W
Rohm Semiconductor

BR93L86-W

Stock parziale: 55957

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (1K x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S256FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S256FJ-WE2

Stock parziale: 58310

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S256F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S256F-WE2

Stock parziale: 58234

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L64-W
Rohm Semiconductor

BR24L64-W

Stock parziale: 59560

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H128FVT-2ACE2
Rohm Semiconductor

BR25H128FVT-2ACE2

Stock parziale: 9952

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR25S256FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S256FJ-WE2

Stock parziale: 67992

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S256F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S256F-WE2

Stock parziale: 67999

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU9897GUL-WE2
Rohm Semiconductor

BU9897GUL-WE2

Stock parziale: 62807

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU9829GUL-WE2
Rohm Semiconductor

BU9829GUL-WE2

Stock parziale: 63724

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A16F-WLBH2
Rohm Semiconductor

BR24A16F-WLBH2

Stock parziale: 100

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A32F-WME2
Rohm Semiconductor

BR24A32F-WME2

Stock parziale: 10839

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L640FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L640FJ-WE2

Stock parziale: 75969

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25A512F-3MGE2
Rohm Semiconductor

BR25A512F-3MGE2

Stock parziale: 10833

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25A512FJ-3MGE2
Rohm Semiconductor

BR25A512FJ-3MGE2

Stock parziale: 109

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25A512FVT-3MGE2
Rohm Semiconductor

BR25A512FVT-3MGE2

Stock parziale: 131

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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