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Memoria

BR25320N-10SU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25320N-10SU-2.7

Stock parziale: 98370

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L320F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L320F-WE2

Stock parziale: 98310

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR95320-WMN6TP
Rohm Semiconductor

BR95320-WMN6TP

Stock parziale: 98329

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25320N-10SU-1.8
Rohm Semiconductor

BR25320N-10SU-1.8

Stock parziale: 98343

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93L86FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR93L86FJ-WE2

Stock parziale: 161278

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (1K x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93A66RFJ-WME2
Rohm Semiconductor

BR93A66RFJ-WME2

Stock parziale: 100065

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A64F-WME2
Rohm Semiconductor

BR24A64F-WME2

Stock parziale: 73

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T32-W
Rohm Semiconductor

BR24T32-W

Stock parziale: 100317

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G32-3A
Rohm Semiconductor

BR24G32-3A

Stock parziale: 100358

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S128FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S128FVT-WE2

Stock parziale: 101195

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L32FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L32FVT-WE2

Stock parziale: 101034

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H128FJ-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H128FJ-2CE2

Stock parziale: 92

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24G02-3A
Rohm Semiconductor

BR24G02-3A

Stock parziale: 101797

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93L86RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR93L86RFVJ-WE2

Stock parziale: 113805

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (1K x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A16F-WME2
Rohm Semiconductor

BR24A16F-WME2

Stock parziale: 95

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G01-3A
Rohm Semiconductor

BR24G01-3A

Stock parziale: 103172

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H128F-2CE2
Rohm Semiconductor

BR25H128F-2CE2

Stock parziale: 149

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR25L160FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L160FJ-WE2

Stock parziale: 122657

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H040FJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR25H040FJ-WCE2

Stock parziale: 112932

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G256FJ-3GE2
Rohm Semiconductor

BR25G256FJ-3GE2

Stock parziale: 112935

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L64F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L64F-WE2

Stock parziale: 112921

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S640FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S640FVJ-WE2

Stock parziale: 137224

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S640FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S640FV-WE2

Stock parziale: 137213

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C21FJ-E2
Rohm Semiconductor

BR24C21FJ-E2

Stock parziale: 114400

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24C21FV-E2
Rohm Semiconductor

BR24C21FV-E2

Stock parziale: 114418

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24C21F-E2
Rohm Semiconductor

BR24C21F-E2

Stock parziale: 114417

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24L32FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L32FJ-WE2

Stock parziale: 115601

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C32-MN6TP
Rohm Semiconductor

BR24C32-MN6TP

Stock parziale: 115560

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C32-WMN6TP
Rohm Semiconductor

BR24C32-WMN6TP

Stock parziale: 115566

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L160FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L160FV-WE2

Stock parziale: 116199

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G512FJ-3GE2
Rohm Semiconductor

BR25G512FJ-3GE2

Stock parziale: 68

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25G256FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR25G256FVT-3GE2

Stock parziale: 75511

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H010FJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR25H010FJ-WCE2

Stock parziale: 119045

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR95160-WDW6TP
Rohm Semiconductor

BR95160-WDW6TP

Stock parziale: 119945

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25160-10TU-1.8
Rohm Semiconductor

BR25160-10TU-1.8

Stock parziale: 119967

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25160-10TU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25160-10TU-2.7

Stock parziale: 119935

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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