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Memoria

BR35H128FJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR35H128FJ-WCE2

Stock parziale: 68256

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T128-W
Rohm Semiconductor

BR24T128-W

Stock parziale: 69123

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G128-3
Rohm Semiconductor

BR24G128-3

Stock parziale: 69147

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L160-W
Rohm Semiconductor

BR25L160-W

Stock parziale: 69775

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR93L66-W
Rohm Semiconductor

BR93L66-W

Stock parziale: 71802

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L640F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L640F-WE2

Stock parziale: 75948

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24L64FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L64FJ-WE2

Stock parziale: 72633

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR95640-WMN6TP
Rohm Semiconductor

BR95640-WMN6TP

Stock parziale: 75953

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25640N-10SU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25640N-10SU-2.7

Stock parziale: 75944

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 3MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A08F-WLBH2
Rohm Semiconductor

BR24A08F-WLBH2

Stock parziale: 88

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H160FJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR25H160FJ-WCE2

Stock parziale: 79877

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BU9883FV-WE2
Rohm Semiconductor

BU9883FV-WE2

Stock parziale: 82425

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 6Kb (256 x 8 x 3), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G64-3
Rohm Semiconductor

BR24G64-3

Stock parziale: 80472

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24T64-W
Rohm Semiconductor

BR24T64-W

Stock parziale: 80528

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H128F-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR25H128F-2LBH2

Stock parziale: 142

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24S128F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S128F-WE2

Stock parziale: 83314

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S128FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S128FV-WE2

Stock parziale: 83340

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24S128FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S128FJ-WE2

Stock parziale: 83279

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H640F-2ACE2
Rohm Semiconductor

BR25H640F-2ACE2

Stock parziale: 77

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR25H640FVT-2ACE2
Rohm Semiconductor

BR25H640FVT-2ACE2

Stock parziale: 9991

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24S128FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S128FVT-WE2

Stock parziale: 84661

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR35H640FJ-WCE2
Rohm Semiconductor

BR35H640FJ-WCE2

Stock parziale: 89897

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S128FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S128FV-WE2

Stock parziale: 98091

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25H640FVM-2ACTR
Rohm Semiconductor

BR25H640FVM-2ACTR

Stock parziale: 126

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 4ms,

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BR24C64-WMN6TP
Rohm Semiconductor

BR24C64-WMN6TP

Stock parziale: 87933

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24C64-MN6TP
Rohm Semiconductor

BR24C64-MN6TP

Stock parziale: 87924

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A08FJ-WME2
Rohm Semiconductor

BR24A08FJ-WME2

Stock parziale: 87935

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24A04FJ-WME2
Rohm Semiconductor

BR24A04FJ-WME2

Stock parziale: 89884

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25L320FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L320FJ-WE2

Stock parziale: 98348

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8), Frequenza di clock: 5MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR9016AF-WE2
Rohm Semiconductor

BR9016AF-WE2

Stock parziale: 91437

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (1K x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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BR24A04F-WLBH2
Rohm Semiconductor

BR24A04F-WLBH2

Stock parziale: 1681

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S128F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S128F-WE2

Stock parziale: 98148

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25S128FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25S128FJ-WE2

Stock parziale: 98140

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR25A256FJ-3MGE2
Rohm Semiconductor

BR25A256FJ-3MGE2

Stock parziale: 10796

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Frequenza di clock: 10MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G08-3A
Rohm Semiconductor

BR24G08-3A

Stock parziale: 97671

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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BR24G512FJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G512FJ-3AGTE2

Stock parziale: 100092

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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